| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 10482-1994 | 半导体深能级的瞬态电容测试方法 | 现行 | 1994-10-01 | 找相似 |
| T/CIE 145-2022 | 辐射诱生缺陷的深能级瞬态谱测试方法 | 现行 | 2023-01-31 | —— |
| T/CASAS 016-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 | 现行 | 2022-07-18 | —— |
| DB52/T 1104-2016 | 半导体器件结-壳热阻瞬态测试方法 | 废止 | 2016-10-01 | 找相似 |
| T/GVS 005-2022 (2) | 半导体装备用绝压电容薄膜真空计比对法测试规范 | 现行 | 2022-03-28 | —— |
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| GB/T 25074-2025 | 太阳能级硅多晶 | 现行 | 2026-01-01 | 找相似 |
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| DB53/T 981-2020 | 复合绝缘子伞套硅橡胶陷阱电荷量和陷阱能级的热刺激电流测试方法 | 废止 | 2020-07-26 | 找相似 |
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| GB/T 37051-2018 | 太阳能级多晶硅锭、硅片晶体缺陷密度测定方法 | 现行 | 2019-04-01 | 找相似 |
| DB65/T 3485-2013 | 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法 | 废止 | 2013-12-01 | 找相似 |
| DB13/T 1314-2010 | 太阳能级单晶硅方棒、单晶硅片 | 现行 | 2010-11-25 | 找相似 |
| GB/T 32281-2015 | 太阳能级硅片和硅料中氧、碳、硼和磷量的测定 二次离子质谱法 | 现行 | 2017-01-01 | 找相似 |
| GB/T 32651-2016 | 采用高质量分辨率辉光放电质谱法测量太阳能级硅中痕量元素的测试方法 | 现行 | 2016-11-01 | 找相似 |