Test method for surface quality and micropipe density of polished silicon carbide wafers—Confocal and differential interferometry optics
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12069-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅二极管电参数测试方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12070-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅二极管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12071-2025 | 半导体器件 分立器件碳化硅二极管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| JC/T 2331-2015 | 陶瓷抛光砖表面用防污剂 | 现行 | 2015-07-14 | 2016-01-01 |
| GB/T 6060.3-2008 | 表面粗糙度比较样块 第3部分：电火花、抛（喷）丸、喷砂、研磨、锉、抛光加工表面 | 现行 | 2008-02-28 | 2008-08-01 |
| GB/T 26070-2010 | 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| GB/T 34504-2017 | 蓝宝石抛光衬底片表面残留金属元素测量方法 | 废止 | 2017-10-14 | 2018-05-01 |
| T/CAMMT 28-2020 | 金属表面电解质等离子抛光工艺规范 | 现行 | 2020-12-10 | 2020-12-10 |
| T/CAMMT 28-2020 | 金属表面电解质等离子抛光工艺规范 | 现行 | 2020-12-10 | 2020-12-10 |
| GB/T 45773-2025 | 表面化学分析 X射线光电子能谱全扫描谱的准实时信息 含碳化合物表面污染的识别和校正规则 | 现行 | 2025-06-30 | 2026-01-01 |
| GB/T 25188-2010 | 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法 | 现行 | 2010-09-26 | 2011-08-01 |
| GB/T 31225-2014 | 椭圆偏振仪测量硅表面上二氧化硅薄层厚度的方法 | 现行 | 2014-09-30 | 2015-04-15 |
| HG/T 3073-1999 | 橡胶配合剂 沉淀水合二氧化硅比表面积的测定 氮吸附方法 | 现行 | 1999-08-12 | 2000-10-01 |