Electronic characteristic measurements—Surface resistance of superconductors at microwave frequencies
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 24468-2025 | 半导体设备可靠性、可用性和维修性（RAM）测量方法 | 即将实施 | 2025-10-05 | 2026-05-01 |
| GB/T 4326-2025 | 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| T/GVS 006-2022 | 半导体射频电源和微波电源的输出偏差稳定性测量方法 | 现行 | 2022-05-27 | 2022-05-27 |
| GB/T 44003-2024 | 力学性能测量 REBCO涂层导体（镀铜）脱层强度测试方法（外文版EN） | 现行 | 2025-07-04 | |
| SJ/T 2658.6-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第6部分：辐射功率 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.5-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第5部分：串联电阻 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.10-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第10部分：调制带宽 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.4-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第4部分：总电容 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.7-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第7部分：辐射通量 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.2-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第2部分：正向电压 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.1-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第1部分：总则 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.12-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第12部分：峰值发射波长和光谱辐射带宽 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.8-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第8部分：辐射强度 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.13-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第13部分：辐射功率温度系数 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.11-2015 | 半导体红外发射二极管测量方法 第11部分：响应时间 | 现行 | 2015-10-10 | 2016-04-01 |
| SJ/T 2658.14-2016 | 半导体红外发射二极管测量方法 第14部分：结温 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| SJ/T 2658.16-2016 | 半导体红外发射二极管测量方法 第16部分：光电转换效率 | 现行 | 2016-01-15 | 2016-06-01 |
| SJ/T 11487-2015 | 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |