Extrinsic semiconductor single crystals measurement of Hall mobility and Hall coefficient
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 4326-2006 | 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 | 废止 | 2006-11-01 | 找相似 |
| GB/T 4326-2025 | 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 | 即将实施 | 2026-05-01 | 找相似 |
| T/CASAS 027-2023 | 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法 | 现行 | 2023-07-01 | —— |
| SJ/T 11488-2015 | 半绝缘砷化镓电阻率、霍尔系数和迁移率测试方法 | 现行 | 2015-10-01 | 找相似 |
| GB/T 47239.2-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第2部分：柔性器件的电子迁移率、亚阈值摆幅和阈值电压评价方法 | 即将实施 | 2027-03-01 | 找相似 |
| GB/T 42838-2023 | 半导体集成电路 霍尔电路测试方法 | 现行 | 2023-12-01 | 找相似 |
| GB/T 20521.2-2025 | 半导体器件 第14-2部分：半导体传感器 霍尔元件 | 即将实施 | 2026-07-01 | 找相似 |
| GB/T 43682-2024 | 纳米技术 亚纳米厚度石墨烯薄膜载流子迁移率及方块电阻测量方法 | 现行 | 2024-07-01 | 找相似 |
| GB/T 44552-2024 | 粒度分布的测定 气溶胶颗粒差分电迁移率分析法 | 现行 | 2025-04-01 | 找相似 |
| T/CASAS 005-2022 | 用于硬开关电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 | 现行 | 2022-09-16 | —— |
| T/CASAS 035-2024 | 用于第三象限续流的氮化镓高电子迁移率晶体管(HEMT)动态导通电阻测试方法 | 现行 | 2024-09-30 | —— |
| T/CASAS 034-2024 | 用于零电压软开通电路的氮化镓高电子迁移率晶体管动态导通电阻测试方法 | 现行 | 2024-09-30 | —— |
| T/GDASE 0010-2020 | 石墨烯薄膜电子迁移率的测定 | 现行 | 2020-06-01 | —— |
| T/GDASE 0010-2020 | 石墨烯薄膜电子迁移率的测定 | 现行 | 2020-06-01 | —— |
| GB/T 48170-2026 | 用于功率转化的氮化镓高电子迁移率晶体管（GaN HEMT）动态导通电阻测试方法指南 | 即将实施 | 2027-03-01 | 找相似 |
| GB/T 45722-2025 | 半导体器件 恒流电迁移试验 | 现行 | 2025-09-01 | 找相似 |
| GB/T 45721.1-2025 | 半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验 | 现行 | 2025-09-01 | 找相似 |
| GB/T 1555-2023 | 半导体单晶晶向测定方法 | 现行 | 2024-03-01 | 找相似 |