首页/GB/T 5839-1986 相似标准

电子管和半导体器件额定值制

Rating systems for electronic tubes and semiconductor devices

GB/T 5839-1986推荐性国家标准

现行

上传时间：2026-02-13
格式：pdf

GB/T 5839-1986 相似标准 第10页

标准号标准名称状态发布日期实施日期
GB/T 15879.604-2023半导体器件的机械标准化 第6-4部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 焊球阵列（BGA）封装的尺寸测量方法现行2023-05-232023-09-01
GB/T 20870.10-2023半导体器件 第16-10部分：单片微波集成电路技术可接收程序现行2023-09-072024-01-01
GB/T 20870.4-2024半导体器件 第16-4部分：微波集成电路 开关现行2024-10-262024-10-26
JB 5781-1991电力半导体器件用型材散热器 技术条件现行1991-10-171992-10-01
GB/T 8446.3-2022电力半导体器件用散热器 第3部分：绝缘件和紧固件现行2022-03-092022-10-01
GB/T 45722-2025半导体器件 恒流电迁移试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 15879.4-2019半导体器件的机械标准化 第4部分：半导体器件封装外形的分类和编码体系现行2019-08-302019-12-01
GB/T 4023-2015半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管现行2015-12-312017-01-01
GB/T 45716-2025半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 15291-2015半导体器件 第6部分：晶闸管现行2015-12-312017-01-01
GB/T 45721.1-2025半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 45718-2025半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 45720-2025半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 32817-2016半导体器件 微机电器件 MEMS总规范现行2016-08-292017-03-01
GB/T 45719-2025半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验现行2025-05-302025-09-01
SJ/T 11848-2022半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范现行2022-10-202023-01-01
SJ/T 11851-2022半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范现行2022-10-202023-01-01
SJ/T 11850-2022半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范现行2022-10-202023-01-01