Semiconductor devices--Part 12-3:Optoelectronic devices--Blank detail specification for light-emitting diodes--Display application
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| JB/T 10097-2000 | 电力半导体器件用管壳 | 废止 | 2000-04-24 | 2000-10-01 |
| JB/T 7622-1994 | 电力半导体器件工艺用有机硅漆 | 现行 | 1994-12-09 | 1995-06-01 |
| JB/T 8757-1998 | 电力半导体器件用热管散热器 | 废止 | 1998-05-26 | 1998-12-01 |
| JB/T 9684-2000 | 电力半导体器件用散热器选用导则 | 废止 | 2000-04-24 | 2000-10-01 |
| JB/T 9687.2-1999 | 电力半导体器件用钨圆片 | 现行 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| GB/T 41853-2022 | 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量 | 现行 | 2022-10-12 | 2022-10-12 |
| GB/T 41852-2022 | 半导体器件 微机电器件 MEMS结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法 | 现行 | 2022-10-12 | 2022-10-12 |
| JB 5781-1991 | 电力半导体器件用型材散热器 技术条件 | 现行 | 1991-10-17 | 1992-10-01 |
| GB/T 45722-2025 | 半导体器件 恒流电迁移试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45716-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45718-2025 | 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45720-2025 | 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 32817-2016 | 半导体器件 微机电器件 MEMS总规范 | 现行 | 2016-08-29 | 2017-03-01 |
| GB/T 45719-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| SJ/T 11848-2022 | 半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11851-2022 | 半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11850-2022 | 半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11849-2022 | 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |