Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 11487-2015 | 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11492-2015 | 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GZB 6-08-02-05 | 压电石英晶片加工工 | 现行 | 2003-02-08 | 2003-02-08 |
| GB/T 5238-2009 | 锗单晶和锗单晶片（外文版EN） | 废止 | 2018-06-07 | |
| GB/T 43894.3-2026 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR） | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| GB/T 16596-1996 | 确定晶片坐标系规范 | 废止 | 1996-11-04 | 1997-04-01 |
| GB/T 16595-1996 | 晶片通用网格规范 | 废止 | 1996-11-04 | 1997-04-01 |
| GB/T 5238-2009 | 锗单晶和锗单晶片 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| DB12/T 101.251-2003 | 工业产品取水定额 硅单晶片 | 废止 | 2003-09-03 | 2003-09-03 |
| GB/T 47909-2026 | 金刚石多晶片 | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| T/ZSA 38-2020 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2020-12-17 | 2020-12-18 |
| T/IAWBS 008-2019 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/WLJC 57-2019 | 晶片精密研磨盘 | 现行 | 2019-04-22 | 2019-04-22 |
| T/WLJC 58-2019 | 晶片精密研磨盘用修正轮 | 现行 | 2019-04-22 | 2019-04-22 |
| T/WLJC 59-2019 | 石英晶片倒边波形筒 | 现行 | 2019-04-22 | 2019-04-22 |
| T/CECA 48-2021 | 石英晶体微天平晶片 | 现行 | 2021-03-04 | 2021-03-15 |
| T/CECA 83-2023 | 钽酸锂和铌酸锂还原单晶晶片 明度和色差技术要求及测量方法 | 现行 | 2023-06-13 | 2023-06-20 |
| SJ/T 12093-2025 | 晶片精密研磨盘 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |