Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 23656-2016 | 橡胶配合剂 沉淀水合二氧化硅比表面积的测定 CTAB法 | 现行 | 2016-10-13 | 2017-05-01 |
| T/FSI 049-2020 | 气相二氧化硅表面硅羟基含量测试方法 | 现行 | 2020-04-30 | 2020-05-30 |
| T/FSI 049-2020 | 气相二氧化硅表面硅羟基含量测试方法 | 现行 | 2020-04-30 | 2020-05-30 |
| HS/T 47-2014 | 有机表面处理二氧化硅的鉴定方法 | 现行 | 2014-10-29 | 2014-12-01 |
| T/ZSA 231-2024 | 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2024-05-15 | 2024-05-16 |
| T/IAWBS 015-2021 | 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2021-09-15 | 2021-09-22 |
| GB/T 43313-2023 | 碳化硅抛光片表面质量和微管密度的测试 共焦点微分干涉法 | 现行 | 2023-11-27 | 2024-06-01 |
| GB/T 42902-2023 | 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 010-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| SJ/T 11503-2015 | 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11504-2015 | 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| T/IAWBS 010-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| GB/T 43894.1-2024 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD) | 现行 | 2024-04-25 | 2024-11-01 |
| GB/T 26071-2018 | 太阳能电池用硅单晶片 | 废止 | 2018-09-17 | 2019-06-01 |