Thickness measurements for ultrathin silicon oxide layers on silicon wafers X-ray photoelectron spectroscopy
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 16595-2019 | 晶片通用网格规范 | 现行 | 2019-03-25 | 2020-02-01 |
| GB/T 14140-2025 | 半导体晶片直径测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 13387-2009 | 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 44631-2024 | 晶片承载器传输并行接口要求 | 现行 | 2024-09-29 | 2025-04-01 |
| GB/T 6616-2023 | 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 16596-2019 | 确定晶片坐标系规范 | 现行 | 2019-03-25 | 2020-02-01 |
| GB/T 32988-2016 | 人造石英光学低通滤波器晶片 | 现行 | 2016-10-13 | 2017-09-01 |
| GB/T 5238-2019 | 锗单晶和锗单晶片 | 现行 | 2019-06-04 | 2020-05-01 |
| GB/T 26071-2026 | 太阳能电池用硅单晶及硅单晶片 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| GB/T 34481-2017 | 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 | 现行 | 2017-10-14 | 2018-07-01 |
| GB/T 43894.2-2026 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA） | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| T/ZSA 38-2020 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2020-12-17 | 2020-12-18 |
| T/IAWBS 008-2019 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/WLJC 59-2019 | 石英晶片倒边波形筒 | 现行 | 2019-04-22 | 2019-04-22 |
| T/WLJC 58-2019 | 晶片精密研磨盘用修正轮 | 现行 | 2019-04-22 | 2019-04-22 |
| T/WLJC 57-2019 | 晶片精密研磨盘 | 现行 | 2019-04-22 | 2019-04-22 |
| YS/T 986-2014 | 晶片正面系列字母数字标志规范 | 现行 | 2014-10-14 | 2015-04-01 |
| SJ/T 11497-2015 | 砷化镓晶片热稳定性的试验方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |