Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 1:Measured height data array using a curvature metric（ZDD）
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 43894.1-2024 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分：高度径向二阶导数法（ZDD） | 现行 | 2024-04-25 | 2024-11-01 |
| GB/T 43894.2-2026 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA） | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| GB/T 43894.3-2026 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR） | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| GB/T 14140-2025 | 半导体晶片直径测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 6616-2023 | 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 26070-2010 | 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| GB/T 24578-2024 | 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法 | 现行 | 2024-07-24 | 2025-02-01 |
| SJ/T 11487-2015 | 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| T/IAWBS 021-2024 | 碳化硅晶片边缘轮廓检验方法 | 现行 | 2024-04-01 | 2024-04-09 |
| GB/Z 26958.41-2011 | 产品几何技术规范（GPS） 滤波 第41部分：形态学轮廓滤波器 圆盘和水平线段滤波器 | 现行 | 2011-07-19 | |
| GB/Z 26958.49-2011 | 产品几何技术规范（GPS） 滤波 第49部分：形态学轮廓滤波器 尺度空间技术 | 现行 | 2011-07-19 | |
| GB/T 26958.85-2022 | 产品几何技术规范（GPS） 滤波 第85部分：形态学区域滤波器 分割 | 现行 | 2022-12-30 | 2023-04-01 |
| GB/Z 26958.40-2011 | 产品几何技术规范（GPS） 滤波 第40部分：形态学轮廓滤波器 基本概念 | 现行 | 2011-07-19 | |
| GB/T 25188-2010 | 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法 | 现行 | 2010-09-26 | 2011-08-01 |
| GB/T 26071-2018 | 太阳能电池用硅单晶片 | 废止 | 2018-09-17 | 2019-06-01 |
| GB/T 16595-2019 | 晶片通用网格规范 | 现行 | 2019-03-25 | 2020-02-01 |
| GB/T 13387-2009 | 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 30118-2013 | 声表面波（SAW）器件用单晶晶片规范与测量方法 | 现行 | 2013-12-17 | 2014-05-15 |