Semiconductor devices—Reliability test method for silicon carbide metal-oxide semiconductor field effect transistors (SiC MOSFET)—Part 1: Test method for bias temperature instability
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 12005-2025 | 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化硅陶瓷覆铜基板 | 现行 | 2026-03-01 | 找相似 |
| SJ/T 11865-2022 | 功率器件用φ150mm n型碳化硅衬底 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | —— |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | —— |
| GB/T 45716-2025 | 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 | 现行 | 2025-09-01 | 找相似 |
| GB/T 45718-2025 | 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 | 现行 | 2025-09-01 | 找相似 |
| GB/T 45719-2025 | 半导体器件金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 | 现行 | 2025-09-01 | 找相似 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-07-01 | 找相似 |
| GB/T 46789-2025 | 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 | 即将实施 | 2026-07-01 | 找相似 |
| GB/T 46717-2025 | 半导体器件金属化空洞应力试验 | 即将实施 | 2026-05-01 | 找相似 |
| GB/T 45716.1-2026 | 半导体器件金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 | 即将实施 | 2026-11-01 | 找相似 |
| GB/T 42709.38-2026 | 半导体器件 微电子机械器件 第38部分：MEMS互连中金属粉末膏体粘附强度测试方法 | 即将实施 | 2027-02-01 | 找相似 |
| T/CASAS 032-2023 | 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法 | 现行 | 2023-06-19 | —— |
| HG/T 6465-2026 | 非金属化工设备 碳化硅换热部件 | 即将实施 | 2026-11-01 | 找相似 |
| GB/T 12565-1990 | 半导体器件 光电子器件分规范 (可供认证用) | 现行 | 1991-10-01 | 找相似 |
| GB/T 36359-2018 | 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2019-01-01 | 找相似 |
| GB/T 43366-2023 | 宇航用半导体分立器件通用规范 | 现行 | 2024-03-01 | 找相似 |
| GB/T 6571-1995 | 半导体器件 分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 | 现行 | 1996-04-01 | 找相似 |