Semiconductor devices—Semiconductor devices for energy harvesting and generation—Part 3: Vibration based eletromagnetic energy harvesting
即将实施
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 20870.10-2023 | 半导体器件 第16-10部分：单片微波集成电路技术可接收程序 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-01-01 |
| GB/T 42709.5-2023 | 半导体器件 微电子机械器件 第5部分：射频MEMS开关 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-09-01 |
| GB/T 42706.1-2023 | 电子元器件半导体器件长期贮存 第1部分：总则 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-09-01 |
| GB/T 20870.4-2024 | 半导体器件 第16-4部分：微波集成电路 开关 | 现行 | 2024-10-26 | 2024-10-26 |
| JB 5781-1991 | 电力半导体器件用型材散热器 技术条件 | 现行 | 1991-10-17 | 1992-10-01 |
| GB/T 8446.3-2022 | 电力半导体器件用散热器 第3部分：绝缘件和紧固件 | 现行 | 2022-03-09 | 2022-10-01 |
| GB/T 45722-2025 | 半导体器件 恒流电迁移试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 15879.4-2019 | 半导体器件的机械标准化 第4部分：半导体器件封装外形的分类和编码体系 | 现行 | 2019-08-30 | 2019-12-01 |
| GB/T 4023-2015 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 | 现行 | 2015-12-31 | 2017-01-01 |
| GB/T 45716-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 15291-2015 | 半导体器件 第6部分：晶闸管 | 现行 | 2015-12-31 | 2017-01-01 |
| GB/T 45721.1-2025 | 半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45718-2025 | 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45720-2025 | 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 32817-2016 | 半导体器件 微机电器件 MEMS总规范 | 现行 | 2016-08-29 | 2017-03-01 |
| GB/T 45719-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| SJ/T 11848-2022 | 半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11851-2022 | 半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |