Equipment for preparation of nitride semiconductor materials by hydride vapor phase epitaxy
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/CASAS 006-2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2020-12-28 | 2021-01-01 |
| T/CECA 35-2019 | 金属氧化物半导体气体传感器 | 现行 | 2019-12-28 | 2020-01-28 |
| T/CECA 35-2019 | 金属氧化物半导体气体传感器 | 现行 | 2019-12-28 | 2020-01-28 |
| GB/T 45716.1-2026 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| SJ/T 12068-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法 | 现行 | 2025-12-19 | 2026-07-01 |
| GB/T 48164.2-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第2部分：体二极管工作引起双极退化的试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 48164.1-2026 | 半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管（SiC MOSFET）可靠性试验方法 第1部分：偏置温度不稳定性试验方法 | 即将实施 | 2026-08-28 | 2027-03-01 |
| GB/T 16555-2017 | 含碳、碳化硅、氮化物耐火材料化学分析方法 | 废止 | 2017-09-07 | 2018-08-01 |
| GB/T 16555-2025 | 含碳、碳化硅、氮化物耐火材料化学分析方法 | 即将实施 | 2025-08-29 | 2026-03-01 |
| GB/T 16555-2008 | 含碳、碳化硅、氮化物耐火材料化学分析方法 | 废止 | 2008-06-26 | 2009-04-01 |
| GB/T 30654-2014 | Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 30655-2014 | 氮化物LED外延片内量子效率测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| HJ 1191-2021 | 水质 叠氮化物的测定 分光光度法 | 现行 | 2021-09-17 | 2022-04-01 |
| GB/T 40535.1-2021 | 连续氮化物陶瓷纤维测试方法 第1部分：氮含量 | 现行 | 2021-08-20 | 2022-03-01 |
| GB/T 30653-2014 | Ⅲ族氮化物外延片结晶质量测试方法 | 现行 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| GB/T 30075-2025 | LED用稀土氮化物红色荧光粉 | 即将实施 | 2025-10-05 | 2026-05-01 |