Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 33763-2017 | 蓝宝石单晶位错密度测量方法 | 现行 | 2017-05-31 | 2017-12-01 |
| GB/T 8760-2006 | 砷化镓单晶位错密度的测量方法 | 废止 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 26066-2010 | 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| GB/T 11297.6-1989 | 锑化铟单晶位错蚀坑的腐蚀显示及测量方法 | 现行 | 1989-03-31 | 1990-01-01 |
| GB/T 25188-2010 | 硅晶片表面超薄氧化硅层厚度的测量 X射线光电子能谱法 | 现行 | 2010-09-26 | 2011-08-01 |
| GB/T 13387-2009 | 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| YS/T 27-1992 | 晶片表面微粒沾污测量和计数的方法 | 现行 | 1992-03-09 | 1993-01-01 |
| SJ/T 11487-2015 | 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GB/T 5252-2020 | 锗单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2020-06-02 | 2021-05-01 |
| GB/T 8760-2020 | 砷化镓单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2020-09-29 | 2021-08-01 |
| GB/T 47080-2026 | 金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| GB/T 41765-2022 | 碳化硅单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2022-10-14 | 2023-05-01 |
| GB/T 41325-2022 | 集成电路用低密度晶体原生凹坑硅单晶抛光片 | 现行 | 2022-03-09 | 2022-10-01 |
| T/IAWBS 014-2021 | 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法 | 现行 | 2021-09-15 | 2021-09-22 |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 010-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| GB/T 31351-2014 | 碳化硅单晶抛光片微管密度无损检测方法 | 废止 | 2014-12-31 | 2015-09-01 |
| T/IAWBS 010-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |