Test method for measuring etch pit density (EPD) in low dislocation density monocrystalline germanium slices
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| YS/T 1167-2016 | 硅单晶腐蚀片 | 现行 | 2016-07-11 | 2017-01-01 |
| GB/T 43894.1-2024 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD) | 现行 | 2024-04-25 | 2024-11-01 |
| GB/T 16595-2019 | 晶片通用网格规范 | 现行 | 2019-03-25 | 2020-02-01 |
| GB/T 14140-2025 | 半导体晶片直径测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 44631-2024 | 晶片承载器传输并行接口要求 | 现行 | 2024-09-29 | 2025-04-01 |
| GB/T 6616-2023 | 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 16596-2019 | 确定晶片坐标系规范 | 现行 | 2019-03-25 | 2020-02-01 |
| GB/T 32988-2016 | 人造石英光学低通滤波器晶片 | 现行 | 2016-10-13 | 2017-09-01 |
| GB/T 26070-2010 | 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| GB/T 24578-2024 | 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法 | 现行 | 2024-07-24 | 2025-02-01 |
| GB/T 43894.2-2026 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分:边缘卷曲法(ROA) | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/ZSA 38-2020 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2020-12-17 | 2020-12-18 |
| T/CASAS 032-2023 | 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法 | 现行 | 2023-06-19 | 2023-06-19 |
| T/IAWBS 008-2019 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/WLJC 59-2019 | 石英晶片倒边波形筒 | 现行 | 2019-04-22 | 2019-04-22 |
| T/WLJC 58-2019 | 晶片精密研磨盘用修正轮 | 现行 | 2019-04-22 | 2019-04-22 |