Surface chemical analysis—Sputter depth profiling—Optimization using layered systems as reference materials
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 29557-2013 | 表面化学分析深度剖析溅射深度测量 | 现行 | 2014-03-01 | 找相似 |
| GB/T 41064-2021 | 表面化学分析深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法 | 现行 | 2022-07-01 | 找相似 |
| GB/T 20175-2025 | 表面化学分析溅射深度剖析 用层状膜系为参考物质的优化方法 | 现行 | 2026-01-01 | 找相似 |
| GB/T 32999-2016 | 表面化学分析深度剖析 用机械轮廓仪栅网复型法测量溅射速率 | 现行 | 2017-09-01 | 找相似 |
| GB/T 20175-2006 | 表面化学分析溅射深度剖析 用层状膜系为参考物质的优化方法 | 废止 | 2006-11-01 | 找相似 |
| GB/T 34326-2017 | 表面化学分析深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度测量方法 | 废止 | 2018-08-01 | 找相似 |
| GB/T 32997-2016 | 表面化学分析 辉光放电发射光谱定量成分深度剖析的通用规程 | 现行 | 2017-09-01 | 找相似 |
| GB/T 40109-2021 | 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法 | 现行 | 2021-12-01 | 找相似 |
| GB/T 32495-2016 | 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法 | 现行 | 2017-01-01 | 找相似 |
| GB/T 47073-2026 | 表面化学分析深度剖析 中能离子散射术对硅基底上纳米尺度重金属氧化物薄膜的无损深度剖析 | 即将实施 | 2026-08-01 | 找相似 |
| GB/T 34326-2026 | 表面化学分析深度剖析 AES和XPS深度剖析时离子束对准方法及其束流或束流密度的测量方法 | 即将实施 | 2026-08-01 | 找相似 |
| SJ/T 10457-1993 | 俄歇电子能谱术语深度剖析标准导则 | 现行 | 1994-06-01 | 找相似 |
| GB/T 31227-2014 | 原子力显微镜测量溅射薄膜表面粗糙度的方法 | 现行 | 2015-04-15 | 找相似 |
| T/GDSHJXH 010-2025 | 首饰表面玫瑰金膜层磁控溅射技术规范 | 现行 | 2025-01-22 | —— |
| T/SZS 4034-2021 | 贵金属首饰表面磁控溅射镀铑工艺技术规范 | 现行 | 2021-07-22 | —— |
| GB/T 22572-2008 | 表面化学分析 二次离子质谱 用多δ层参考物质评估深度分辨参数的方法 | 现行 | 2009-10-01 | 找相似 |
| YS/T 935-2013 | 电子薄膜用高纯金属溅射靶材纯度等级及杂质含量分析和报告标准指南 | 现行 | 2014-03-01 | 找相似 |
| JB/T 8945-2010 | 真空溅射镀膜设备 | 现行 | 2010-07-01 | 找相似 |