Test method for crystallographic perfection of epitaxial layers in silicon—Etching technique
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 14847-2010 | 重掺杂衬底上轻掺杂硅外延层厚度的红外反射测量方法 | 废止 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| GB/T 29056-2012 | 硅外延用三氯氢硅化学分析方法 硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法 | 废止 | 2012-12-31 | 2013-10-01 |
| SJ/T 10481-1994 | 硅外延层电阻率的面接触三探针方法 | 现行 | 1994-04-11 | 1994-10-01 |
| GB/T 11068-2006 | 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法 | 现行 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| T/CASAS 027-2023 | 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法 | 现行 | 2023-06-30 | 2023-07-01 |
| T/IAWBS 007-2018 | 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| YS/T 14-2015 | 异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11471-2014 | 发光二极管外延片测试方法 | 现行 | 2014-10-14 | 2015-04-01 |
| YS/T 14-1991 | 导质外延层和硅夕晶层厚度测量方法 | 废止 | 1991-04-26 | 1992-06-01 |
| GB/T 14863-2013 | 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法 | 废止 | 2013-12-31 | 2014-08-15 |
| T/IAWBS 007-2018 | 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| GB/T 14015-1992 | 硅-蓝宝石外延片 | 现行 | 1992-12-28 | 1993-08-01 |
| GB/T 44334-2024 | 埋层硅外延片 | 现行 | 2024-08-23 | 2025-03-01 |
| GB/T 14139-2019 | 硅外延片 | 现行 | 2019-06-04 | 2020-05-01 |
| GB/T 42905-2023 | 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 30652-2023 | 硅外延用三氯氢硅 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |