Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Part 5: RF MEMS switches
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| JB/T 9687.2-1999 | 电力半导体器件用钨圆片 | 现行 | 1999-08-06 | 2000-01-01 |
| GB/T 13062-2018 | 半导体器件 集成电路 第21-1部分：膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范(采用鉴定批准程序) | 现行 | 2018-12-28 | 2019-07-01 |
| GB/T 41853-2022 | 半导体器件 微机电器件 晶圆间键合强度测量 | 现行 | 2022-10-12 | 2022-10-12 |
| GB/T 43035-2023 | 半导体器件 集成电路 第20部分：膜集成电路和混合膜集成电路总规范 第一篇：内部目检要求 | 现行 | 2023-09-07 | 2023-09-07 |
| GB/T 11498-2018 | 半导体器件 集成电路 第21部分：膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序) | 现行 | 2018-12-28 | 2019-07-01 |
| GB/T 41852-2022 | 半导体器件 微机电器件 MEMS结构黏结强度的弯曲和剪切试验方法 | 现行 | 2022-10-12 | 2022-10-12 |
| GB/T 20870.10-2023 | 半导体器件 第16-10部分：单片微波集成电路技术可接收程序 | 现行 | 2023-09-07 | 2024-01-01 |
| GB/T 20870.4-2024 | 半导体器件 第16-4部分：微波集成电路 开关 | 现行 | 2024-10-26 | 2024-10-26 |
| JB 5781-1991 | 电力半导体器件用型材散热器 技术条件 | 现行 | 1991-10-17 | 1992-10-01 |
| GB/T 8446.3-2022 | 电力半导体器件用散热器 第3部分：绝缘件和紧固件 | 现行 | 2022-03-09 | 2022-10-01 |
| GB/T 45722-2025 | 半导体器件 恒流电迁移试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 4023-2015 | 半导体器件 分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 | 现行 | 2015-12-31 | 2017-01-01 |
| GB/T 45716-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 15291-2015 | 半导体器件 第6部分：晶闸管 | 现行 | 2015-12-31 | 2017-01-01 |
| GB/T 45721.1-2025 | 半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45718-2025 | 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45720-2025 | 半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 32817-2016 | 半导体器件 微机电器件 MEMS总规范 | 现行 | 2016-08-29 | 2017-03-01 |