Semiconductor devices--Discrete devices--Part 7:Bipolar transistors--Section Four:Blank detail specification for case-rated bipolartransistors for high-frequency amplification
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 15651.2-2003 | 半导体分立器件和集成电路 第5-2部分:光电子器件 基本额定值和特性 | 现行 | 2004-08-01 | 找相似 |
| GB/T 15651.3-2003 | 半导体分立器件和集成电路 第5-3部分:光电子器件 测试方法 | 现行 | 2004-08-01 | 找相似 |
| GB/T 6352-1998 | 半导体器件分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 | 现行 | 1999-06-01 | 找相似 |
| GB/T 15651.4-2017 | 半导体器件分立器件 第5-4部分:光电子器件半导体激光器 | 现行 | 2017-12-01 | 找相似 |
| GB/T 6219-1998 | 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 1999-06-01 | 找相似 |
| GB/T 6590-1998 | 半导体器件分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 | 现行 | 1999-06-01 | 找相似 |
| GB/T 17573-1998 | 半导体器件分立器件和集成电路 第1部分:总则 | 现行 | 1999-06-01 | 找相似 |
| GB/T 6351-1998 | 半导体器件分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范 | 现行 | 1999-06-01 | 找相似 |
| GB/T 4023-2015 | 半导体器件分立器件和集成电路 第2部分：整流二极管 | 现行 | 2017-01-01 | 找相似 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-07-01 | 找相似 |
| GB/T 4023.1-2026 | 半导体分立器件 第1部分：分规范 | 即将实施 | 2026-10-01 | 找相似 |
| GB/T 37312.1-2019 | 航空电子过程管理 航空航天、国防及其他高性能应用领域（ADHP）电子元器件 第1部分：高可靠集成电路与分立半导体器件通用要求 | 现行 | 2019-10-01 | 找相似 |
| GB/Z 127.1-2025 | 航空电子过程管理 航空航天合格电子元器件（AQEC） 第1部分：集成电路和半导体分立器件 | 现行 | —— | 找相似 |
| GB/Z 102.17-2026 | 半导体器件分立器件 第17部分：基本绝缘和加强绝缘的磁耦合器和电容耦合器 | 现行 | —— | 找相似 |
| GB/T 4023.4-2026 | 半导体分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管 | 即将实施 | 2026-11-01 | 找相似 |
| GB/T 4023.3-2026 | 半导体分立器件 第3部分：信号、开关和调整二极管 | 即将实施 | 2026-11-01 | 找相似 |
| GB/T 43366-2023 | 宇航用半导体分立器件通用规范 | 现行 | 2024-03-01 | 找相似 |
| GB/T 7581-1987 | 半导体分立器件外形尺寸 | 现行 | 1987-11-01 | 找相似 |