Semiconductor devices--Discrete devices--Part6:Thyristors--Section Two:Blank detail specification for bidirectional triode thyristors(triacs)，ambient or case-rated，up to 100A
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1995-08-01 | 找相似 |
| GB/T 21039.1-2007 | 半导体器件分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2007-11-01 | 找相似 |
| GB/T 6352-1998 | 半导体器件分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范 | 现行 | 1999-06-01 | 找相似 |
| GB/T 29332-2012 | 半导体器件分立器件 第9部分：绝缘栅双极晶体管(IGBT) | 现行 | 2013-06-01 | 找相似 |
| GB/T 4587-2023 | 半导体器件分立器件 第7部分：双极型晶体管 | 现行 | 2024-04-01 | 找相似 |
| GB/T 7576-1998 | 半导体器件分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1999-06-01 | 找相似 |
| GB/T 6219-1998 | 半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 1999-06-01 | 找相似 |
| GB/T 6217-1998 | 半导体器件分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范 | 现行 | 1999-06-01 | 找相似 |
| GB/T 6590-1998 | 半导体器件分立器件 第6部分:闸流晶体管第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范 | 现行 | 1999-06-01 | 找相似 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-07-01 | 找相似 |
| GB/T 4587-1994 | 半导体分立器件和集成电路 第7部分:双极型晶体管 | 废止 | 1995-08-01 | 找相似 |
| GB/T 4023.4-2026 | 半导体分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管 | 即将实施 | 2026-11-01 | 找相似 |
| SJ/T 11848-2022 | 半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
| SJ/T 11851-2022 | 半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
| SJ/T 11850-2022 | 半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
| SJ/T 11849-2022 | 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
| GB/T 6217-2026 | 半导体分立器件 小功率双极型晶体管空白详细规范 | 即将实施 | 2026-10-01 | 找相似 |
| GB/T 7576-2026 | 半导体分立器件 大功率双极型晶体管空白详细规范 | 即将实施 | 2026-10-01 | 找相似 |