| GB/T 37312.1-2019 | 航空电子过程管理 航空航天、国防及其他高性能应用领域（ADHP）电子元器件 第1部分：高可靠集成电路与分立半导体器件通用要求 | 现行 | 2019-10-01 | 找相似 |
| GB/Z 127.1-2025 | 航空电子过程管理 航空航天合格电子元器件（AQEC） 第1部分：集成电路和半导体分立器件 | 现行 | —— | 找相似 |
| GB/Z 102.17-2026 | 半导体器件分立器件 第17部分：基本绝缘和加强绝缘的磁耦合器和电容耦合器 | 现行 | —— | 找相似 |
| GB/T 4023.4-2026 | 半导体分立器件 第4部分：微波二极管和晶体管 | 即将实施 | 2026-11-01 | 找相似 |
| GB/T 4023.3-2026 | 半导体分立器件 第3部分：信号、开关和调整二极管 | 即将实施 | 2026-11-01 | 找相似 |
| T/ZZB 2283-2021 | 半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉 | 现行 | 2021-09-26 | —— |
| T/CASAS 016-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 | 现行 | 2022-07-18 | —— |
| T/CASAS 015-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 | 现行 | 2022-07-18 | —— |
| T/CASAS 006-2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2021-01-01 | —— |
| T/CASAS 006-2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2021-01-01 | —— |
| T/ZJATA 0017-2023 | 制备碳化硅半导体材料用化学气相沉积法(CVD)外延设备 | 现行 | 2023-07-20 | —— |
| SJ/T 11865-2022 | 功率器件用φ150mm n型碳化硅衬底 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | —— |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | —— |
| SJ/T 12005-2025 | 功率半导体封装用活性金属钎焊(AMB)氮化硅陶瓷覆铜基板 | 现行 | 2026-03-01 | 找相似 |
| GB/T 12565-1990 | 半导体器件 光电子器件分规范 (可供认证用) | 现行 | 1991-10-01 | 找相似 |
| GB/T 36359-2018 | 半导体光电子器件 小功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2019-01-01 | 找相似 |
| GB/T 18904.3-2002 | 半导体器件 第12-3部分:光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2003-05-01 | 找相似 |