Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates—Infrared reflectance method
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 33988-2017 | 城镇地物可见光-短波红外光谱反射率测量（外文版EN） | 现行 | 2022-12-28 | |
| DB53/T 498-2013 | 烟草及烟草制品 主要化学成分指标的测定 近红外漫反射光谱法 | 废止 | 2013-08-01 | 2013-10-01 |
| GB/T 14015-1992 | 硅-蓝宝石外延片 | 现行 | 1992-12-28 | 1993-08-01 |
| GB/T 44334-2024 | 埋层硅外延片 | 现行 | 2024-08-23 | 2025-03-01 |
| GB/T 24575-2009 | 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 14139-2019 | 硅外延片 | 现行 | 2019-06-04 | 2020-05-01 |
| GB/T 30652-2023 | 硅外延用三氯氢硅 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 43493.1-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.3-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 14142-2017 | 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 | 现行 | 2017-09-29 | 2018-04-01 |
| GB/T 43885-2024 | 碳化硅外延片 | 现行 | 2024-04-25 | 2024-11-01 |
| GB/T 29056-2012 | 硅外延用三氯氢硅化学分析方法 硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法 | 废止 | 2012-12-31 | 2013-10-01 |
| SJ/T 10481-1994 | 硅外延层电阻率的面接触三探针方法 | 现行 | 1994-04-11 | 1994-10-01 |
| SJ/T 11275-2002 | 卧式液相外延系统通用规范 | 现行 | 2002-10-30 | 2003-03-01 |
| GB/T 14141-2009 | 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 35308-2017 | 太阳能电池用锗基Ⅲ-Ⅴ族化合物外延片 | 现行 | 2017-12-29 | 2018-07-01 |
| YS/T 24-2016 | 外延钉缺陷的检验方法 | 现行 | 2016-04-05 | 2016-09-01 |