Test method for thickness of lightly doped silicon epitaxial layers on heavily doped silicon substrates—Infrared reflectance method
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 30855-2014 | LED外延芯片用磷化镓衬底 | 现行 | 2014-07-24 | 2015-04-01 |
| GB/T 30854-2014 | LED发光用氮化镓基外延片 | 现行 | 2014-07-24 | 2015-04-01 |
| GB/T 30856-2025 | LED外延芯片用砷化镓衬底 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 37053-2018 | 氮化镓外延片及衬底片通用规范 | 现行 | 2018-12-28 | 2019-07-01 |
| GB/T 36646-2018 | 制备氮化物半导体材料用氢化物气相外延设备 | 现行 | 2018-09-17 | 2019-01-01 |
| GB/T 11068-2006 | 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法 | 现行 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 35310-2017 | 200mm硅外延片 | 现行 | 2017-12-29 | 2018-07-01 |
| GB/T 29056-2025 | 硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| T/CASAS 004.2-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 004.1-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 027-2023 | 射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法 | 现行 | 2023-06-30 | 2023-07-01 |
| T/ZZB 2833-2022 | 高压MOSFET用200 mm硅外延片 | 现行 | 2022-12-08 | 2022-12-31 |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| YS/T 1060-2015 | 硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷含量的测定 气相色谱法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| YS/T 1059-2015 | 硅外延用三氯氢硅中总碳的测定 气相色谱法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11470-2014 | 发光二极管外延片 | 现行 | 2014-10-14 | 2015-04-01 |
| GB/T 30856-2014 | LED外延芯片用砷化镓衬底 | 废止 | 2014-07-24 | 2015-04-01 |