Practice for determining semiconductor wafer near-edge geometry—Part 2: Roll-off amount（ROA）
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 44631-2024 | 晶片承载器传输并行接口要求 | 现行 | 2024-09-29 | 2025-04-01 |
| GB/T 16596-2019 | 确定晶片坐标系规范 | 现行 | 2019-03-25 | 2020-02-01 |
| GB/T 26066-2010 | 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| YS/T 27-1992 | 晶片表面微粒沾污测量和计数的方法 | 现行 | 1992-03-09 | 1993-01-01 |
| GB/T 32278-2025 | 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 32988-2016 | 人造石英光学低通滤波器晶片 | 现行 | 2016-10-13 | 2017-09-01 |
| GB/T 5238-2019 | 锗单晶和锗单晶片 | 现行 | 2019-06-04 | 2020-05-01 |
| GB/T 26071-2026 | 太阳能电池用硅单晶及硅单晶片 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| GB/T 30868-2025 | 碳化硅单晶片微管密度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 34481-2017 | 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 | 现行 | 2017-10-14 | 2018-07-01 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/ZSA 38-2020 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2020-12-17 | 2020-12-18 |
| T/ZSA 231-2024 | 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2024-05-15 | 2024-05-16 |
| T/CASAS 032-2023 | 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法 | 现行 | 2023-06-19 | 2023-06-19 |
| T/IAWBS 016-2022 | 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2022-03-17 | 2022-03-24 |
| T/CASAS 013-2021 | 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法 | 现行 | 2021-11-01 | 2021-12-01 |
| T/IAWBS 015-2021 | 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2021-09-15 | 2021-09-22 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |