| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 41765-2022 | 碳化硅单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2022-10-14 | 2023-05-01 |
| T/IAWBS 014-2021 | 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法 | 现行 | 2021-09-15 | 2021-09-22 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CASAS 032-2023 | 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法 | 现行 | 2023-06-19 | 2023-06-19 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/IAWBS 021-2024 | 碳化硅晶片边缘轮廓检验方法 | 现行 | 2024-04-01 | 2024-04-09 |
| GB/T 34481-2017 | 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 | 现行 | 2017-10-14 | 2018-07-01 |
| GB/T 42271-2022 | 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 | 现行 | 2022-12-30 | 2023-04-01 |
| GB/T 41153-2021 | 碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法 | 现行 | 2021-12-31 | 2022-07-01 |
| SJ/T 11864-2022 | 半绝缘型碳化硅单晶衬底 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| GB/T 10067.417-2023 | 电热和电磁处理装置基本技术条件 第417部分：碳化硅单晶生长装置 | 现行 | 2023-05-23 | 2023-12-01 |
| GB/T 47082-2026 | 碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| GB/T 30656-2023 | 碳化硅单晶抛光片 | 现行 | 2023-03-17 | 2023-10-01 |
| T/ZZB 2283-2021 | 半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉 | 现行 | 2021-08-26 | 2021-09-26 |
| T/CIET 1279-2025 | 碳化硅单晶生长技术规范 物理气相传输法（PVT） | 现行 | 2025-05-14 | 2025-05-14 |
| T/CASAS 048-2025 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨 | 现行 | 2025-04-23 | 2025-04-23 |
| T/CASAS 036-2025 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨构件纯度测定方法 辉光放电质谱法 | 现行 | 2025-04-23 | 2025-04-23 |
| T/IAWBS 001-2021 | 碳化硅单晶 | 现行 | 2021-09-16 | 2021-09-23 |