| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 26070-2010 | 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| GB/T 24578-2024 | 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法 | 现行 | 2024-07-24 | 2025-02-01 |
| GB/T 43894.2-2026 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA） | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/ZSA 38-2020 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2020-12-17 | 2020-12-18 |
| T/CASAS 032-2023 | 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法 | 现行 | 2023-06-19 | 2023-06-19 |
| T/CASAS 013-2021 | 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法 | 现行 | 2021-11-01 | 2021-12-01 |
| T/IAWBS 008-2019 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/WLJC 59-2019 | 石英晶片倒边波形筒 | 现行 | 2019-04-22 | 2019-04-22 |
| T/WLJC 58-2019 | 晶片精密研磨盘用修正轮 | 现行 | 2019-04-22 | 2019-04-22 |
| T/WLJC 57-2019 | 晶片精密研磨盘 | 现行 | 2019-04-22 | 2019-04-22 |
| YS/T 986-2014 | 晶片正面系列字母数字标志规范 | 现行 | 2014-10-14 | 2015-04-01 |
| SJ/T 11497-2015 | 砷化镓晶片热稳定性的试验方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11487-2015 | 半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11492-2015 | 光致发光法测定磷镓砷晶片的组分 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| GZB 6-08-02-05 | 压电石英晶片加工工 | 现行 | 2003-02-08 | 2003-02-08 |
| GB/T 43894.3-2026 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR） | 即将实施 | 2026-07-02 | 2027-02-01 |
| GB/T 16596-1996 | 确定晶片坐标系规范 | 废止 | 1996-11-04 | 1997-04-01 |