| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 30118-2013 | 声表面波（SAW）器件用单晶晶片规范与测量方法 | 现行 | 2013-12-17 | 2014-05-15 |
| GB/T 44631-2024 | 晶片承载器传输并行接口要求 | 现行 | 2024-09-29 | 2025-04-01 |
| GB/T 6616-2023 | 半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 16596-2019 | 确定晶片坐标系规范 | 现行 | 2019-03-25 | 2020-02-01 |
| GB/T 26066-2010 | 硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| YS/T 27-1992 | 晶片表面微粒沾污测量和计数的方法 | 现行 | 1992-03-09 | 1993-01-01 |
| GB/T 32278-2025 | 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 5238-2019 | 锗单晶和锗单晶片 | 现行 | 2019-06-04 | 2020-05-01 |
| GB/T 26071-2026 | 太阳能电池用硅单晶及硅单晶片 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| GB/T 26070-2010 | 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 | 现行 | 2011-01-10 | 2011-10-01 |
| GB/T 30868-2025 | 碳化硅单晶片微管密度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 34481-2017 | 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 | 现行 | 2017-10-14 | 2018-07-01 |
| GB/T 24578-2024 | 半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法 | 现行 | 2024-07-24 | 2025-02-01 |
| GB/T 43894.2-2026 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA） | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/ZSA 38-2020 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2020-12-17 | 2020-12-18 |
| T/ZSA 231-2024 | 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2024-05-15 | 2024-05-16 |
| T/CASAS 032-2023 | 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法 | 现行 | 2023-06-19 | 2023-06-19 |