首页/GB/T 4937.32-2023 相似标准

半导体器件 机械和气候试验方法 第32部分：塑封器件的易燃性（外部引起的）

Semiconductor devices—Mechanical and climatic test methods—Part 32:Flammability of platic-encapsulated devices（externally induced）

GB/T 4937.32-2023推荐性国家标准

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上传时间：2026-03-02
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GB/T 4937.32-2023 相似标准 第5页

更新时间 2026-10-25
标准号标准名称状态发布日期实施日期
GB/T 45721.1-2025半导体器件 应力迁移试验 第1部分：铜应力迁移试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 45718-2025半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 45720-2025半导体器件 栅介质层的时间相关介电击穿（TDDB）试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 45719-2025半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验现行2025-05-302025-09-01
GB/T 43967-2024空间环境 宇航用半导体器件单粒子效应脉冲激光试验方法现行2024-04-252024-04-25
DB13/T 6033-2024半导体器件低浓度氢效应试验方法现行2024-10-282024-11-28
T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验现行2019-12-272019-12-31
SJ/T 11874-2022电动汽车用半导体分立器件应力试验程序现行2022-10-202023-01-01
SJ/T 11586-2016半导体器件10KeV低能X射线总剂量辐照试验方法现行2016-01-152016-06-01
GB/T 46789-2025半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验即将实施2025-12-022026-07-01
T/IAWBS 009-2019功率半导体器件稳态湿热高压偏置试验现行2019-12-272019-12-31
GB/T 15651.13-2026半导体器件 第5-13部分：光电子器件 LED封装的硫化氢腐蚀试验即将实施2026-02-272026-06-01
GB/T 46717-2025半导体器件 金属化空洞应力试验即将实施2025-10-312026-05-01
T/ZSA 47-2020电动汽车用功率半导体器件可靠性试验方法现行2020-12-062020-12-07
T/CIE 144-2022半导体器件可靠性强化试验方法现行2022-12-312023-01-31
GB/T 45716.1-2026半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验即将实施2026-04-302026-11-01
SJ/T 12068-2025半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管可靠性试验方法现行2025-12-192026-07-01
SJ/T 12070-2025半导体器件 分立器件 碳化硅二极管可靠性试验方法现行2025-12-192026-07-01