Test method for crystalline quality of semiconductive single crystal—X-ray diffraction method
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 42676-2023 | 半导体单晶晶体质量的测试 X射线衍射法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 46227-2025 | 半导体单晶材料透过率测试方法 | 即将实施 | 2025-08-29 | 2026-03-01 |
| JB/T 6307.4-1992 | 电力半导体模块测试方法双极型晶体管臂和臂对 | 现行 | 1992-06-26 | 1993-01-01 |
| JB/T 6307.5-1994 | 电力半导体模块测试方法 双极型晶体管单相桥和三相桥 | 现行 | 1994-12-09 | 1995-06-01 |
| T/CASAS 016-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| SJ/T 2214-2015 | 半导体光电二极管和光电晶体管测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11824-2022 | 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| GB/T 47239.9-2026 | 半导体器件 柔性可拉伸半导体器件 第9部分：一晶体管一电阻式（1T1R）电阻存储单元性能测试方法 | 即将实施 | 2026-02-27 | 2026-09-01 |
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2025-09-09 | 2026-03-01 |
| GB/T 1555-2023 | 半导体单晶晶向测定方法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 4326-2006 | 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 | 废止 | 2006-07-18 | 2006-11-01 |
| GB/T 4326-2025 | 非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法 | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| T/ZZB 2283-2021 | 半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉 | 现行 | 2021-08-26 | 2021-09-26 |
| T/NXCL 28-2024 | 半导体级单晶硅生长用合成石英坩埚 | 现行 | 2024-02-02 | 2024-02-02 |
| GB/T 1555-2009 | 半导体单晶晶向测定方法 | 废止 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| T/CEMIA 024-2021 | 半导体单晶硅生长用石英坩埚生产规范 | 现行 | 2021-07-15 | 2021-12-25 |
| T/CEMIA 023-2021 | 半导体单晶硅生长用石英坩埚 | 现行 | 2021-07-15 | 2021-12-25 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1994-12-30 | 1995-08-01 |