半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管

Semiconductor devices--Discrete devices--Part 8:Field-effect transistors

GB/T 4586-1994推荐性国家标准

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GB/T 4586-1994 相似标准 第5页

更新时间 2026-10-25
标准号标准名称状态实施日期相似标准
GB/T 4937.44-2025半导体器件 机械和气候试验方法 第44部分:半导体器件的中子辐照单粒子效应(SEE)试验方法即将实施2026-07-01找相似
GB/T 45716.1-2026半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验 第1部分:MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验即将实施2026-11-01找相似
GB/T 48164.2-2026半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第2部分:体二极管工作引起双极退化的试验方法即将实施2027-03-01找相似
GB/T 48164.1-2026半导体器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管(SiC MOSFET)可靠性试验方法 第1部分:偏置温度不稳定性试验方法即将实施2027-03-01找相似
GB/T 45716-2025半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的偏置温度不稳定性试验现行2025-09-01找相似
GB/T 43967-2024空间环境 宇航用半导体器件单粒子效应脉冲激光试验方法现行2024-04-25找相似
DB13/T 6033-2024半导体器件低浓度氢效应试验方法 [河北省]现行2024-11-28找相似
GB/T 46789-2025半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFETs)的可动离子试验即将实施2026-07-01找相似
T/CASAS 016-2022碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法现行2022-07-18——
T/CASAS 015-2022碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率循环试验方法现行2022-07-18——
T/CASAS 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范现行2021-01-01——
SJ/T 11824-2022金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法现行2023-01-01找相似
T/CASAS 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范现行2021-01-01——
GB/T 18904.3-2002半导体器件 第12-3部分:光电子器件 显示用发光二极管空白详细规范现行2003-05-01找相似
GB/T 5965-2000半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第一篇 双极型单片数字集成电路门电路(不包括自由逻辑阵列) 空白详细规范现行2000-07-01找相似
GB/T 17940-2000半导体器件 集成电路 第3部分:模拟集成电路现行2000-07-01找相似
GB/T 18904.1-2002半导体器件 第12-1部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的光发射或红外发射二极管空白详细规范现行2003-05-01找相似
GB/T 18904.4-2002半导体器件 第12-4部分:光电子器件 纤维光学系统或子系统用带/不带尾纤的Pin-FET模块空白详细规范现行2003-05-01找相似