Test method for resistivity and hall coefficient indium antimonide single crystals
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 17170-2015 | 半绝缘砷化镓单晶深施主EL2浓度红外吸收测试方法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-07-01 |
| GB/T 32188-2015 | 氮化镓单晶衬底片x射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2015-12-10 | 2016-11-01 |
| GB/T 46227-2025 | 半导体单晶材料透过率测试方法 | 即将实施 | 2025-08-29 | 2026-03-01 |
| GB/T 5252-2020 | 锗单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2020-06-02 | 2021-05-01 |
| GB/T 8760-2020 | 砷化镓单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2020-09-29 | 2021-08-01 |
| GB/T 47080-2026 | 金刚石单晶抛光片位错密度的测试方法 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| GB/T 41765-2022 | 碳化硅单晶位错密度的测试方法 | 现行 | 2022-10-14 | 2023-05-01 |
| GB/T 30868-2025 | 碳化硅单晶片微管密度测试方法 | 现行 | 2025-08-01 | 2026-02-01 |
| GB/T 47082-2026 | 碳化硅单晶抛光片堆垛层错测试方法 | 即将实施 | 2026-01-28 | 2026-08-01 |
| T/ZSA 231-2024 | 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2024-05-15 | 2024-05-16 |
| T/IAWBS 016-2022 | 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2022-03-17 | 2022-03-24 |
| T/IAWBS 015-2021 | 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2021-09-15 | 2021-09-22 |
| T/IAWBS 014-2021 | 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法 | 现行 | 2021-09-15 | 2021-09-22 |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| JC/T 2513-2019 | 磷酸钛氧钾单晶元件抗灰迹性能测试方法 | 现行 | 2019-05-02 | 2019-11-01 |
| SJ/T 11501-2015 | 碳化硅单晶晶型的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11503-2015 | 碳化硅单晶抛光片表面粗糙度的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |
| SJ/T 11504-2015 | 碳化硅单晶抛光片表面质量的测试方法 | 现行 | 2015-04-30 | 2015-10-01 |