Test methods for flatness of monocrystalline silicon carbide wafers
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 32278-2025 | 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法 | 现行 | 2026-02-01 | 相似 |
| GB/T 32278-2015 | 碳化硅单晶片平整度测试方法 | 废止 | 2017-01-01 | 相似 |
| GB/T 43894.3-2026 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第3部分：扇形区域平整度法（ESFQR、ESFQD、ESBIR） | 即将实施 | 2027-02-01 | 相似 |
| GB/T 30868-2025 | 碳化硅单晶片微管密度测试方法 | 现行 | 2026-02-01 | 相似 |
| T/IAWBS 016-2022 | 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2022-03-24 | —— |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| GB/T 30866-2014 | 碳化硅单晶片直径测试方法 | 废止 | 2015-02-01 | 相似 |
| GB/T 30867-2014 | 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 | 废止 | 2015-02-01 | 相似 |
| GB/T 30868-2014 | 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 | 废止 | 2015-02-01 | 相似 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| GB/T 29507-2013 | 硅片平整度、厚度及总厚度变化测试 自动非接触扫描法 | 现行 | 2014-02-01 | 相似 |
| GB/T 6621-2009 | 硅片表面平整度测试方法 | 现行 | 2010-06-01 | 相似 |
| GB/T 19922-2005 | 硅片局部平整度非接触式标准测试方法 | 现行 | 2006-04-01 | 相似 |
| GB/T 328.7-2007 | 建筑防水卷材试验方法 第7部分：高分子防水卷材 长度、宽度、平直度和平整度 | 现行 | 2007-10-01 | 相似 |
| GB/T 13769-2009 | 纺织品 评定织物经洗涤后外观平整度的试验方法 | 现行 | 2010-03-01 | 相似 |
| GB/T 13771-2009 | 纺织品 评定织物经洗涤后接缝外观平整度的试验方法 | 现行 | 2010-03-01 | 相似 |