Test method for measuring diameter of monocrystalline silicon carbide wafers
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 30866-2014 | 碳化硅单晶片直径测试方法 | 废止 | 2015-02-01 | 相似 |
| GB/T 32278-2025 | 碳化硅单晶片厚度和平整度测试方法 | 现行 | 2026-02-01 | 相似 |
| GB/T 30868-2025 | 碳化硅单晶片微管密度测试方法 | 现行 | 2026-02-01 | 相似 |
| T/IAWBS 016-2022 | 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2022-03-24 | —— |
| GB/T 32278-2015 | 碳化硅单晶片平整度测试方法 | 废止 | 2017-01-01 | 相似 |
| GB/T 30867-2014 | 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 | 废止 | 2015-02-01 | 相似 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| GB/T 30868-2014 | 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 | 废止 | 2015-02-01 | 相似 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | —— |
| T/CASAS 032-2023 | 碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法 | 现行 | 2023-06-19 | —— |
| T/CASAS 013-2021 | 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法 | 现行 | 2021-12-01 | —— |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | —— |
| T/IAWBS 021-2024 | 碳化硅晶片边缘轮廓检验方法 | 现行 | 2024-04-09 | —— |
| GB/T 34520.2-2017 | 连续碳化硅纤维测试方法 第2部分：单纤维直径 | 现行 | 2018-05-01 | 相似 |
| GB/T 42271-2022 | 半绝缘碳化硅单晶的电阻率非接触测试方法 | 现行 | 2023-04-01 | 相似 |