| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 5238-2019 | 锗单晶和锗单晶片 | 现行 | 2020-05-01 | 找相似 |
| GB/T 26071-2026 | 太阳能电池用硅单晶及硅单晶片 | 即将实施 | 2026-08-01 | 找相似 |
| GB/T 26070-2010 | 化合物半导体抛光晶片亚表面损伤的反射差分谱测试方法 | 现行 | 2011-10-01 | 找相似 |
| GB/T 30868-2025 | 碳化硅单晶片微管密度测试方法 | 现行 | 2026-02-01 | 找相似 |
| GB/T 34481-2017 | 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 | 现行 | 2018-07-01 | 找相似 |
| GB/T 43894.2-2026 | 半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分：边缘卷曲法（ROA） | 即将实施 | 2026-08-01 | 找相似 |
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | —— |
| T/ZSA 38-2020 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2020-12-18 | —— |
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| T/IAWBS 016-2022 | 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2022-03-24 | —— |
| T/CASAS 013-2021 | 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法 | 现行 | 2021-12-01 | —— |
| T/IAWBS 015-2021 | 氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2021-09-22 | —— |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 008-2019 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/WLJC 59-2019 | 石英晶片倒边波形筒 | 现行 | 2019-04-22 | —— |
| T/WLJC 58-2019 | 晶片精密研磨盘用修正轮 | 现行 | 2019-04-22 | —— |
| T/WLJC 57-2019 | 晶片精密研磨盘 | 现行 | 2019-04-22 | —— |