普通磨料 碳化硅

Conventional abrasive—Silicon carbide

GB/T 2480-2022推荐性国家标准

现行

上传时间:2026-03-18
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GB/T 2480-2022 相似标准 第6页

更新时间 2026-10-25
标准号标准名称状态发布日期实施日期
T/CASAS 026-2023碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法现行2023-06-192023-06-19
T/CASAS 025-20238英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸现行2023-06-192023-06-19
T/NXCL 011-2022窑具用碳化硅微粉技术规范现行2022-11-182022-11-18
T/CASAS 016-2022碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)结壳热阻瞬态双界面测试方法现行2022-07-182022-07-18
T/CASAS 015-2022碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 (SiC MOSFET)功率循环试验方法现行2022-07-182022-07-18
T/IAWBS 016-2022碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法现行2022-03-172022-03-24
T/CASAS 014-2021碳化硅衬底基平面弯曲的测定 高分辨X射线衍射法现行2021-11-012021-12-01
T/CASAS 013-2021碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法现行2021-11-012021-12-01
T/IAWBS 001-2021碳化硅单晶现行2021-09-162021-09-23
T/IAWBS 014-2021碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法现行2021-09-152021-09-22
T/CASAS 006-2020碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范现行2020-12-282021-01-01
T/CASAS 007-2020电动汽车用碳化硅(SiC)场效应晶体管(MOSFET)模块评测规范现行2020-05-252020-05-25
T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法现行2019-12-272019-12-31
T/IAWBS 012-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法现行2019-12-272019-12-31
T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法现行2019-12-272019-12-31
T/IAWBS 010-2019碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法现行2019-12-272019-12-31
T/CASAS 009-2019半绝缘碳化硅材料中痕量杂质浓度及分布的二次离子质谱检测方法现行2019-11-252019-11-25
T/IAWBS 007-20184H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法现行2018-12-062018-12-17