| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| YS/T 24-2016 | 外延钉缺陷的检验方法 | 现行 | 2016-09-01 | 找相似 |
| YS/T 24-1992 | 外延钉缺陷的检验方法 | 废止 | 1993-01-01 | 找相似 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 现行 | 2024-07-01 | 找相似 |
| GB/T 43493.3-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 | 现行 | 2024-07-01 | 找相似 |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-31 | —— |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-31 | —— |
| GB/T 43493.1-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | 现行 | 2024-07-01 | 找相似 |
| GB/T 42902-2023 | 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 | 现行 | 2024-03-01 | 找相似 |
| T/CASAS 004.2-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 现行 | 2018-11-20 | —— |
| T/CASAS 004.1-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语 | 现行 | 2018-11-20 | —— |
| T/CASAS 004.1-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷术语 | 现行 | 2018-11-20 | —— |
| T/CASAS 004.2-2018 | 4H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱 | 现行 | 2018-11-20 | —— |
| GB/T 14142-2017 | 硅外延层晶体完整性检验方法 腐蚀法 | 现行 | 2018-04-01 | 找相似 |
| GB/T 30654-2014 | Ⅲ族氮化物外延片晶格常数测试方法 | 现行 | 2015-09-01 | 找相似 |
| GB/T 30655-2014 | 氮化物LED外延片内量子效率测试方法 | 现行 | 2015-09-01 | 找相似 |
| GB/T 8758-2006 | 砷化镓外延层厚度红外干涉测量方法 | 现行 | 2006-11-01 | 找相似 |
| GB/T 24575-2009 | 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法 | 现行 | 2010-06-01 | 找相似 |
| GB/T 30110-2013 | 空间红外探测器碲镉汞外延材料参数测试方法 | 现行 | 2014-05-15 | 找相似 |