Test method for measuring surface sodium,aluminum,potassium,and iron on silicon and epi substrates by secondary ion mass spectrometry
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 24575-2009 | 硅和外延片表面Na、Al、K和Fe的二次离子质谱检测方法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 29056-2012 | 硅外延用三氯氢硅化学分析方法 硼、铝、磷、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、钼、砷和锑量的测定 电感耦合等离子体质谱法 | 废止 | 2012-12-31 | 2013-10-01 |
| GB/T 29056-2025 | 硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 | 即将实施 | 2025-10-31 | 2026-05-01 |
| T/CNIA 0061-2020 | 硅外延用四氯化硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法 | 现行 | 2020-05-27 | 2020-08-01 |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| GB/T 42902-2023 | 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 | 现行 | 2023-08-06 | 2024-03-01 |
| GB/T 14141-2009 | 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探针法 | 现行 | 2009-10-30 | 2010-06-01 |
| GB/T 43493.2-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第2部分：缺陷的光学检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.3-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第3部分：缺陷的光致发光检测方法 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 43493.1-2023 | 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 | 现行 | 2023-12-28 | 2024-07-01 |
| GB/T 41064-2021 | 表面化学分析 深度剖析 用单层和多层薄膜测定X射线光电子能谱、俄歇电子能谱和二次离子质谱中深度剖析溅射速率的方法 | 现行 | 2021-12-31 | 2022-07-01 |
| GB/T 29849-2013 | 光伏电池用硅材料表面金属杂质含量的电感耦合等离子体质谱测量方法 | 现行 | 2013-11-12 | 2014-04-15 |
| GB/T 22572-2008 | 表面化学分析 二次离子质谱 用多δ层参考物质评估深度分辨参数的方法 | 现行 | 2008-12-11 | 2009-10-01 |
| GB/T 40109-2021 | 表面化学分析 二次离子质谱 硅中硼深度剖析方法 | 现行 | 2021-05-21 | 2021-12-01 |
| GB/T 32495-2016 | 表面化学分析 二次离子质谱 硅中砷的深度剖析方法 | 现行 | 2016-02-24 | 2017-01-01 |
| SN/T 4240-2015 | 电子电气产品 金属部件表面镀镍层中铅、镉含量测定 电感耦合等离子体质谱法 | 现行 | 2015-05-26 | 2016-01-01 |
| GB/T 25186-2010 | 表面化学分析 二次离子质谱 - 由离子注入参考物质确定相对灵敏度因子 | 现行 | 2010-09-26 | 2011-08-01 |