Semiconductor devices—Micro-electromechanical devices—Generic specification for MEMS
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 9424-1998 | 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第五篇 CMOS数字集成电路4000B和4000UB系列空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 17572-1998 | 半导体器件 集成电路 第2部分:数字集成电路 第四篇 CMOS数字集成电路 4000B和4000UB系列族规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 6351-1998 | 半导体器件 分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范 | 现行 | 1998-11-17 | 1999-06-01 |
| GB/T 12560-1999 | 半导体器件 分立器件分规范 | 现行 | 1999-08-02 | 2000-03-01 |
| GB/T 13062-2018 | 半导体器件 集成电路 第21-1部分：膜集成电路和混合膜集成电路空白详细规范(采用鉴定批准程序) | 现行 | 2018-12-28 | 2019-07-01 |
| GB/T 43035-2023 | 半导体器件 集成电路 第20部分：膜集成电路和混合膜集成电路总规范 第一篇：内部目检要求 | 现行 | 2023-09-07 | 2023-09-07 |
| GB/T 11498-2018 | 半导体器件 集成电路 第21部分：膜集成电路和混合膜集成电路分规范(采用鉴定批准程序) | 现行 | 2018-12-28 | 2019-07-01 |
| SJ/T 11848-2022 | 半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11851-2022 | 半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11850-2022 | 半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11849-2022 | 半导体分立器件3DG3500、3DG3501型NPN硅高频小功率 晶体管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11866-2022 | 半导体光电子器件 硅衬底白光功率发光二极管详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-04-30 | 2018-07-01 |
| SJ/T 11817-2022 | 半导体光电子器件 灯丝灯用发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 11818.3-2022 | 半导体紫外发射二极管 第3部分：器件规范 | 现行 | 2022-10-20 | 2023-01-01 |
| SJ/T 10416-1993 | 半导体分立器件芯片总规范 | 现行 | 1993-12-17 | 1994-06-01 |
| GB/T 36360-2018 | 半导体光电子器件 中功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |
| GB/T 36358-2018 | 半导体光电子器件 功率发光二极管空白详细规范 | 现行 | 2018-06-07 | 2019-01-01 |