SJ/T 10416-1993 相似标准 第1页

更新时间 2026-10-28
标准号标准名称状态实施日期相似标准
SJ/T 10416-1993半导体分立器件芯片总规范现行1994-06-01相似
GB/T 43366-2023宇航用半导体分立器件通用规范现行2024-03-01相似
GB/T 6588-2000半导体器件分立器件 第3部分:信号(包括开关)和调整二极管 第1篇 信号二极管、开关二极管和可控雪崩二极管空白详细规范现行2001-10-01相似
GB/T 13151-2005半导体器件分立器件 第6部分:晶闸管 第3篇 电流大于 100A、环境和管壳额定的反向阻断三极晶闸管空白详细规范现行2005-10-01相似
GB/T 13150-2005半导体器件分立器件 电流大于 100A、环境和管壳额定的双向三极晶闸管空白详细规范现行2005-10-01相似
GB/T 6589-2002半导体器件分立器件 第3-2部分:信号(包括开关)和调整二极管 电压调整二极管和电压基准二极管(不包括温度补偿精密基准二极管) 空白详细规范现行2003-05-01相似
GB/T 21039.1-2007半导体器件分立器件 第4-1部分:微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范现行2007-11-01相似
GB/T 4589.1-2006半导体器件 第10部分:分立器件和集成电路总规范现行2007-02-01相似
GB/T 6352-1998半导体器件分立器件 第6部分:闸流晶体管 第一篇 100A以下环境或管壳额定反向阻断三极闸流晶体管空白详细规范现行1999-06-01相似
GB/T 7576-1998半导体器件分立器件 第7部分:双极型晶体管 第四篇 高频放大管壳额定双极型晶体管空白详细规范现行1999-06-01相似
GB/T 6219-1998半导体器件分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管 空白详细规范现行1999-06-01相似
GB/T 6217-1998半导体器件分立器件 第7部分:双极型晶体管 第一篇 高低频放大环境额定的双极型晶体管空白详细规范现行1999-06-01相似
GB/T 6590-1998半导体器件分立器件 第6部分:闸流晶体管 第二篇 100A以下环境或管壳额定的双向三极闸流晶体管空白详细规范现行1999-06-01相似
GB/T 6351-1998半导体器件分立器件 第2部分:整流二极管 第一篇 100A以下环境或管壳额定整流二极管(包括雪崩整流二极管)空白详细规范现行1999-06-01相似
GB/T 12560-1999半导体器件分立器件分规范现行2000-03-01相似
SJ/T 11848-2022半导体分立器件 3DG2484型NPN硅高频小功率晶体管详细规范现行2023-01-01相似
SJ/T 11851-2022半导体分立器件 S3DK5794型NPN硅小功率开关晶体管对管详细规范现行2023-01-01相似
SJ/T 11850-2022半导体分立器件 3DK2219A、3DK2222A、3DK2222AUB型NPN硅小功率开关晶体管详细规范现行2023-01-01相似