硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

practice for shallow etch pit detection on silicon

GB/T 26066-2010推荐性国家标准

现行

上传时间:2026-03-02
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GB/T 26066-2010 相似标准 第3页

更新时间 2026-10-25
标准号标准名称状态发布日期实施日期
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SJ/T 11487-2015半绝缘半导体晶片电阻率的无接触测量方法现行2015-04-302015-10-01
T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法现行2019-12-272019-12-31
T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法现行2019-12-272019-12-31
T/CECA 83-2023钽酸锂和铌酸锂还原单晶晶片 明度和色差技术要求及测量方法现行2023-06-132023-06-20
GB/T 30118-2026声表面波(SAW)器件用单晶晶片 规范与测量方法即将实施2026-08-282027-03-01
GB/T 43894.1-2024半导体晶片近边缘几何形态评价 第1部分:高度径向二阶导数法(ZDD)现行2024-04-252024-11-01
GB/T 26071-2018太阳能电池用硅单晶片废止2018-09-172019-06-01
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GB/T 32988-2016人造石英光学低通滤波器晶片现行2016-10-132017-09-01
GB/T 5238-2019锗单晶和锗单晶片现行2019-06-042020-05-01
GB/T 26071-2026太阳能电池用硅单晶及硅单晶片即将实施2026-01-282026-08-01
GB/T 24578-2024半导体晶片表面金属沾污的测定 全反射X射线荧光光谱法现行2024-07-242025-02-01
GB/T 43894.2-2026半导体晶片近边缘几何形态评价 第2部分:边缘卷曲法(ROA)即将实施2026-01-282026-08-01
T/CASAS 003-2018p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片现行2018-11-202018-11-20
T/WLJC 59-2019石英晶片倒边波形筒现行2019-04-222019-04-22