硅晶片上浅腐蚀坑检测的测试方法

practice for shallow etch pit detection on silicon

GB/T 26066-2010推荐性国家标准

现行

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GB/T 26066-2010 相似标准 第2页

更新时间 2026-10-25
标准号标准名称状态发布日期实施日期
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T/ZSA 231-2024氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法现行2024-05-152024-05-16
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T/IAWBS 015-2021氧化镓单晶片X射线双晶摇摆曲线半高宽测试方法现行2021-09-152021-09-22
GB/T 32278-2015碳化硅单晶片平整度测试方法废止2015-12-102017-01-01
GB/T 30866-2014碳化硅单晶片直径测试方法废止2014-07-242015-02-01
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T/IAWBS 008-2019SiC晶片的残余应力检测方法现行2019-12-272019-12-31
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GB/T 6616-2023半导体晶片电阻率及半导体薄膜薄层电阻的测试 非接触涡流法现行2023-08-062024-03-01
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GB/T 13387-2009硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法现行2009-10-302010-06-01
GB/T 30118-2013声表面波(SAW)器件用单晶晶片规范与测量方法现行2013-12-172014-05-15
YS/T 27-1992晶片表面微粒沾污测量和计数的方法现行1992-03-091993-01-01
T/IAWBS 013-2019半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法现行2019-12-272019-12-31
T/IAWBS 011-2019导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法现行2019-12-272019-12-31