Blank detail-specification for field-effect transistors for case-rated switching application
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 15449-1995 | 管壳额定开关用场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 1995-08-01 | 找相似 |
| GB/T 4586-1994 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 | 现行 | 1995-08-01 | 找相似 |
| GB/T 21039.1-2007 | 半导体器件 分立器件 第4-1部分：微波二极管和晶体管 微波场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2007-11-01 | 找相似 |
| GB/T 6219-1998 | 半导体器件 分立器件 第8部分:场效应晶体管 第一篇 1 GHz、5 W以下的单栅场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 1999-06-01 | 找相似 |
| GB/T 45716-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 | 现行 | 2025-09-01 | 找相似 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-07-01 | 找相似 |
| T/CASAS 022-2022 | 三相智能电表用氮化镓场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2022-12-09 | —— |
| T/CASAS 016-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 | 现行 | 2022-07-18 | —— |
| T/CASAS 015-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 | 现行 | 2022-07-18 | —— |
| T/CASAS 006-2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2021-01-01 | —— |
| T/CASAS 007-2020 | 电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范 | 现行 | 2020-05-25 | —— |
| SJ/T 11824-2022 | 金属氧化物半导体场效应晶体管 (MOSFET)等效电容和电压变化率测试方法 | 现行 | 2023-01-01 | 找相似 |
| GB/T 46789-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的可动离子试验 | 即将实施 | 2026-07-01 | 找相似 |
| T/CASAS 006-2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2021-01-01 | —— |
| T/CASAS 007-2020 | 电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范 | 现行 | 2020-05-25 | —— |
| GB/T 45716.1-2026 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 第1部分：MOSFETs的快速偏置温度不稳定性试验 | 即将实施 | 2026-11-01 | 找相似 |
| SJ/T 12032-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管电参数测试方法 | 现行 | 2026-03-01 | 找相似 |
| SJ/T 12067-2025 | 半导体器件 分立器件 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管门类规范 | 现行 | 2026-07-01 | 找相似 |