| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
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| T/ZACA 041-2022 | 混合信号半导体器件测试设备 | 现行 | 2022-07-01 | —— |
| GB/T 48120-2026 | 精细陶瓷 室内照明环境下半导体光催化材料测试用LED光源 | 即将实施 | 2027-03-01 | 找相似 |
| GB/T 13387-2009 | 硅及其他电子材料晶片参考面长度测量方法 | 现行 | 2010-06-01 | 找相似 |
| GB/T 30118-2013 | 声表面波（SAW）器件用单晶晶片规范与测量方法 | 现行 | 2014-05-15 | 找相似 |
| YS/T 27-1992 | 晶片表面微粒沾污测量和计数的方法 | 现行 | 1993-01-01 | 找相似 |
| GB/T 34481-2017 | 低位错密度锗单晶片腐蚀坑密度(EPD)的测量方法 | 现行 | 2018-07-01 | 找相似 |
| T/ZSA 38-2020 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2020-12-18 | —— |
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| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 008-2019 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| SJ/T 11497-2015 | 砷化镓晶片热稳定性的试验方法 | 现行 | 2015-10-01 | 找相似 |
| T/ZSA 38-2020 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2020-12-18 | —— |
| T/IAWBS 008-2019 | SiC晶片的残余应力检测方法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 021-2024 | 碳化硅晶片边缘轮廓检验方法 | 现行 | 2024-04-09 | —— |