Determination of boron, aluminum and nitrogen impurity content in silicon carbide single crystal—Secondary ion mass spectrometry
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/CASAS 003-2018 | p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片 | 现行 | 2018-11-20 | 2018-11-20 |
| T/CFA 02020501042-2023 | 铸造熔炼用碳化硅 | 现行 | 2023-03-01 | 2023-06-01 |
| T/SDAMA 010-2025 | 碳化硅陶瓷晶舟制品用高纯碳化硅粉体 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-05-30 |
| T/CIET 1282-2025 | 反应烧结碳化硅/碳化硼陶瓷板技术要求 | 现行 | 2025-05-14 | 2025-05-14 |
| T/SDAMA 008-2025 | 碳化硅陶瓷晶舟 | 现行 | 2025-03-17 | 2025-03-17 |
| T/CASAS 025-2023 | 8英寸碳化硅衬底片基准标记及尺寸 | 现行 | 2023-06-19 | 2023-06-19 |
| T/NXCL 011-2022 | 窑具用碳化硅微粉技术规范 | 现行 | 2022-11-18 | 2022-11-18 |
| T/CASAS 016-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| T/CASAS 015-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| T/CASAS 013-2021 | 碳化硅晶片位错密度检测方法 KOH腐蚀结合图像识别法 | 现行 | 2021-11-01 | 2021-12-01 |
| T/CASAS 006-2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2020-12-28 | 2021-01-01 |
| T/CASAS 007-2020 | 电动汽车用碳化硅（SiC）场效应晶体管（MOSFET）模块评测规范 | 现行 | 2020-05-25 | 2020-05-25 |
| T/IAWBS 007-2018 | 4H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/IAWBS 006-2018 | 碳化硅混合模块测试方法 | 现行 | 2018-12-06 | 2018-12-17 |
| T/ZZB 0686-2018 | 高性能无压烧结碳化硅密封环 | 现行 | 2018-11-02 | 2018-11-30 |
| T/IAWBS 002-2017 | 碳化硅外延片表面缺陷测试方法 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| JC/T 2402-2017 | 船舶用液相烧结碳化硅陶瓷密封环 | 现行 | 2017-04-12 | 2017-10-01 |
| GB/T 42905-2023 | 碳化硅外延层厚度的测试 红外反射法（外文版EN） | 现行 | 2024-04-12 |