氮化物LED外延片内量子效率测试方法

Test methods for internal quantum efficiency of nitride LED epitaxial layers

GB/T 30655-2014推荐性国家标准

现行

上传时间:2026-02-13
格式:pdf

GB/T 30655-2014 相似标准 第5页

更新时间 2026-10-25
标准号标准名称状态发布日期实施日期
GB/T 29056-2025硅外延用三氯氢硅中杂质含量的测定 电感耦合等离子体质谱法即将实施2025-10-312026-05-01
T/CASAS 004.2-20184H碳化硅衬底及外延层缺陷图谱现行2018-11-202018-11-20
T/CASAS 004.1-20184H碳化硅衬底及外延层缺陷术语现行2018-11-202018-11-20
T/CASAS 003-2018p沟道IGBT器件用4H碳化硅外延晶片现行2018-11-202018-11-20
T/CASAS 027-2023射频GaN HEMT外延片二维电子气迁移率非接触霍尔测量方法现行2023-06-302023-07-01
T/ZZB 2833-2022高压MOSFET用200 mm硅外延片现行2022-12-082022-12-31
T/IAWBS 007-20184H 碳化硅同质外延层厚度的红外反射测量方法现行2018-12-062018-12-17
T/IAWBS 003-2017碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法现行2017-12-202017-12-31
YS/T 1060-2015硅外延用三氯氢硅中其他氯硅烷含量的测定 气相色谱法现行2015-04-302015-10-01
YS/T 14-2015异质外延层和硅多晶层厚度的测量方法现行2015-04-302015-10-01
YS/T 1059-2015硅外延用三氯氢硅中总碳的测定 气相色谱法现行2015-04-302015-10-01
YS/T 15-2015硅外延层和扩散层厚度测定 磨角染色法现行2015-04-302015-10-01
SJ/T 11470-2014发光二极管外延片现行2014-10-142015-04-01
GB/T 30856-2014LED外延芯片用砷化镓衬底废止2014-07-242015-04-01
JB/T 5631-1991半导体器件外延炉能耗分等废止1991-08-271992-07-01
YS/T 24-1992外延钉缺陷的检验方法废止1992-03-091993-01-01
YS/T 23-1992硅外延层厚度测定堆垛层错尺寸法废止1992-03-091993-01-01
YS/T 15-1991硅外延层和扩散层厚度测定磨角染色法废止1991-04-261992-06-01