Determination of carbon and oxygen content in single crystal silicon—Low temperature fourier transform infrared spectrometry method
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GB/T 30656-2023 | 碳化硅单晶抛光片 | 现行 | 2023-03-17 | 2023-10-01 |
| GB/T 29506-2013 | 300mm 硅单晶抛光片 | 现行 | 2013-05-09 | 2014-02-01 |
| T/ZZB 2283-2021 | 半导体级碳化硅单晶用超高纯石墨粉 | 现行 | 2021-08-26 | 2021-09-26 |
| T/CIET 1279-2025 | 碳化硅单晶生长技术规范 物理气相传输法（PVT） | 现行 | 2025-05-14 | 2025-05-14 |
| T/CASAS 048-2025 | 碳化硅单晶生长用等静压石墨 | 现行 | 2025-04-23 | 2025-04-23 |
| T/NXCL 017-2022 | 300 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片 | 现行 | 2022-12-02 | 2022-12-02 |
| T/NXCL 016-2022 | 200 mm重掺锑直拉硅单晶抛光片 | 现行 | 2022-12-02 | 2022-12-02 |
| T/ZZB 2675-2022 | TVS用硅单晶研磨片 | 现行 | 2022-04-13 | 2022-05-13 |
| T/IAWBS 016-2022 | 碳化硅单晶片 X 射线双晶摇 摆曲线半高宽测试方法 | 现行 | 2022-03-17 | 2022-03-24 |
| T/IAWBS 001-2021 | 碳化硅单晶 | 现行 | 2021-09-16 | 2021-09-23 |
| T/IAWBS 014-2021 | 碳化硅单晶抛光片位错密度的测试方法 | 现行 | 2021-09-15 | 2021-09-22 |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 012-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度测试方法 ——共焦点微分干涉光学法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/IAWBS 010-2019 | 碳化硅单晶抛光片表面质量和微管密度检测方法-激光散射检测法 | 现行 | 2019-12-27 | 2019-12-31 |
| T/ZZB 0648-2018 | 200 mm重掺磷直拉硅单晶抛光片 | 现行 | 2018-10-19 | 2018-11-01 |
| T/IAWBS 001-2017 | 碳化硅单晶 | 现行 | 2017-12-20 | 2017-12-31 |
| GB/T 47404-2026 | 碳化硅单晶 | 即将实施 |