Silicon epitaxial layers-determination of carrier concentration-mercury probe voltages-capacitance method
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-31 | —— |
| GB/T 14146-2009 | 硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法 | 废止 | 2010-06-01 | 找相似 |
| T/IAWBS 003-2017 | 碳化硅外延层载流子浓度测定_汞探针电容-电压法 | 现行 | 2017-12-31 | —— |
| GB/T 14863-2013 | 用栅控和非栅控二极管的电压电容关系测定硅外延层中净载流子浓度的方法 | 废止 | 2014-08-15 | 找相似 |
| GB/T 14146-2021 | 硅外延层载流子浓度的测试 电容-电压法 | 现行 | 2021-12-01 | 找相似 |
| GB/T 11068-2006 | 砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法 | 现行 | 2006-11-01 | 找相似 |
| GB/T 8757-2006 | 砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法 | 现行 | 2006-11-01 | 找相似 |
| GB/T 36705-2018 | 氮化镓衬底片载流子浓度的测试 拉曼光谱法 | 现行 | 2019-06-01 | 找相似 |
| GB/T 1553-2023 | 硅和锗体内少数载流子寿命的测定 光电导衰减法 | 现行 | 2024-03-01 | 找相似 |
| T/CASAS 026-2023 | 碳化硅少数载流子寿命测定微波光电导衰减法 | 现行 | 2023-06-19 | —— |
| GB/T 1553-2009 | 硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法 | 废止 | 2010-06-01 | 找相似 |
| GB/T 26068-2018 | 硅片和硅锭载流子复合寿命的测试 非接触微波反射光电导衰减法 | 现行 | 2019-11-01 | 找相似 |
| GB/T 43682-2024 | 纳米技术 亚纳米厚度石墨烯薄膜载流子迁移率及方块电阻测量方法 | 现行 | 2024-07-01 | 找相似 |
| DB65/T 3485-2013 | 太阳能级多晶硅块少数载流子寿命测量方法 | 废止 | 2013-12-01 | 找相似 |
| GB/T 45719-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 | 现行 | 2025-09-01 | 找相似 |
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| YS/T 679-2018 | 非本征半导体中少数载流子扩散长度的测试 表面光电压法 | 现行 | 2019-04-01 | 找相似 |
| YS/T 679-2008 | 非本征半导体中少数载流子扩散长度的稳态表面光电压测试方法 | 废止 | 2008-09-01 | 找相似 |