| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 实施日期 | 相似标准 |
|---|---|---|---|---|
| SJ/T 11501-2015 | 碳化硅单晶晶型的测试方法 | 现行 | 2015-10-01 | 找相似 |
| SJ/T 11500-2015 | 碳化硅单晶晶向的测试方法 | 现行 | 2015-10-01 | 找相似 |
| GB/T 32278-2015 | 碳化硅单晶片平整度测试方法 | 废止 | 2017-01-01 | 找相似 |
| GB/T 30866-2014 | 碳化硅单晶片直径测试方法 | 废止 | 2015-02-01 | 找相似 |
| GB/T 30867-2014 | 碳化硅单晶片厚度和总厚度变化测试方法 | 废止 | 2015-02-01 | 找相似 |
| GB/T 30868-2014 | 碳化硅单晶片微管密度的测定 化学腐蚀法 | 废止 | 2015-02-01 | 找相似 |
| SJ/T 11499-2015 | 碳化硅单晶电学性能的测试方法 | 废止 | 2015-10-01 | 找相似 |
| T/IAWBS 011-2019 | 导电碳化硅单晶片电阻率测量方法—非接触涡流法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/IAWBS 013-2019 | 半绝缘碳化硅单晶片电阻率非接触测量方法 | 现行 | 2019-12-31 | —— |
| T/ZSA 72-2019 | 碳化硅单晶 | 现行 | 2020-03-01 | —— |
| GB/T 4058-2009 | 硅抛光片氧化诱生缺陷的检验方法 | 现行 | 2010-06-01 | 找相似 |
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| SJ/T 11489-2015 | 低位错密度磷化铟抛光片蚀坑密度的测量方法 | 现行 | 2015-10-01 | 找相似 |
| SJ/T 11490-2015 | 低位错密度砷化镓抛光片蚀坑密度的测量方法 | 现行 | 2015-10-01 | 找相似 |
| DB12/T 101.253-2003 | 工业产品取水定额 砷化镓抛光片 [天津市] | 废止 | 2003-09-03 | 找相似 |
| T/CASAS 054-2025 | 氮化铝抛光片吸收系数测试方法 | 现行 | 2025-05-20 | —— |
| T/CASAS 053-2025 | 氮化铝抛光片位错密度的测试 腐蚀坑法 | 现行 | 2025-05-20 | —— |
| GB/T 42902-2023 | 碳化硅外延片表面缺陷的测试 激光散射法 | 现行 | 2024-03-01 | 找相似 |