废止
2013-12-04
2014-03-01
2013-12-04
DB35/T 1370-2013
福建省质量技术监督局
省信息化局
制定
L45
31.260
信息传输、软件和信息技术服务业
方法标准
福建省
地方标准
42709-2014
2014-06-20
本标准规定了发光二极管芯片（以下简称芯片）的点测条件和点测方法。 本标准适用于可见光发光二极管芯片光参数、直流电参数以及静电放电敏感性的点测。紫外光、红 外光发光二极管芯片以及外延片的点测也可参照使用。 本标准不适用于发光二极管芯片的热参数和交流特性测试。
厦门市三安光电科技有限公司、厦门市产品质量监督检验院、福建省光电行业协会、国家半导体发光器件（LED）应用产品质量监督检验中心
蔡伟智、梁奋、李国煌、吕艳、时军朋、葛莉荭、黄松金、刘毅清、陈涛、兰国政
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| GM/T 0008-2012 | 安全芯片密码检测准则 | 现行 | 2012-11-22 | 2012-11-22 |
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| T/CIE 134-2022 | 磁随机存储芯片数据保持时间测试方法 | 现行 | 2022-08-10 | 2022-08-10 |
| T/QGCML 585-2022 | LED芯片技术规范 | 现行 | 2022-12-26 | 2023-01-03 |
| T/BDT 003-2024 | 高速模拟数字转换芯片（ADC）测试设备 | 现行 | 2024-10-09 | 2024-10-10 |
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