Test method for measuring surface metal contamination on semiconductor wafers —Total reflection X-Ray fluorescence spectroscopy
| 标准号 | 标准名称 | 状态 | 发布日期 | 实施日期 |
|---|---|---|---|---|
| T/CMES 24021-2024 | 半导体超纯聚合物过流部件污染物检测及表面粗糙度技术要求 | 现行 | 2024-12-30 | 2025-01-30 |
| T/CHPSA YY005-2024 | 半导体超纯聚合物过流部件污染物检测及表面粗糙度技术要求 | 现行 | 2024-11-01 | 2024-12-01 |
| GB/T 4937.201-2026 | 半导体器件 机械和气候试验方法 第20-1部分：对潮湿和焊接热综合影响敏感的表面安装器件的操作、包装、标志和运输 | 即将实施 | 2026-04-30 | 2026-11-01 |
| GB/T 15879.620-2026 | 半导体器件的机械标准化 第6-20部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 小外形J形引线封装（SOJ）尺寸测量方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 15879.618-2026 | 半导体器件的机械标准化 第6-18部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 焊球阵列封装（BGA）的设计指南 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 15879.603-2026 | 半导体器件的机械标准化 第6-3部分：表面安装半导体器件封装外形图绘制的一般规则 四边扁平封装（QFP）的尺寸测量方法 | 即将实施 | 2026-07-30 | 2027-02-01 |
| GB/T 15652-1995 | 金属氧化物半导体气敏元件总规范 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 15653-1995 | 金属氧化物半导体气敏元件测试方法 | 现行 | 1995-07-24 | 1996-04-01 |
| GB/T 45716-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFETs）的偏置温度不稳定性试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45718-2025 | 半导体器件 内部金属层间的时间相关介电击穿（TDDB）试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| GB/T 45719-2025 | 半导体器件 金属氧化物半导体（MOS） 晶体管的热载流子试验 | 现行 | 2025-05-30 | 2025-09-01 |
| SJ/T 10176-1991 | 半导体集成电路金属菱形外壳详细规范 | 现行 | 1991-05-28 | 1991-12-01 |
| SJ/T 9014.8.2-2018 | 半导体器件 分立器件第8-2部分：超结金属氧化物半导体场效应晶体管空白详细规范 | 现行 | 2018-04-30 | 2018-07-01 |
| T/QGCML 3970-2024 | 半导体车间金属粉尘智能检测分析系统 | 现行 | 2024-03-27 | 2024-04-11 |
| T/CASAS 016-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）结壳热阻瞬态双界面测试方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| T/CASAS 015-2022 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管 （SiC MOSFET）功率循环试验方法 | 现行 | 2022-07-18 | 2022-07-18 |
| T/CASAS 017-2021 | 第三代半导体 微纳米金属烧结技术 术语 | 现行 | 2021-11-01 | 2021-12-01 |
| T/CASAS 006-2020 | 碳化硅金属氧化物半导体场效应晶体管通用技术规范 | 现行 | 2020-12-28 | 2021-01-01 |